SBAS16LT3G ფასები (აშშ დოლარი) [1820191ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02107
- 20,000 pcs$0.02097
- Ნაწილი ნომერი:
- SBAS16LT3G
- მწარმოებელი:
- ON Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO SPCL TR
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in ON Semiconductor SBAS16LT3G electronic components. SBAS16LT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBAS16LT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBAS16LT3G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
SBAS16LT3G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.25V @ 150mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
6ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-23-3 (TO-236)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
SD101A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 30MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 1mA 60 Volt
-
VSKY20301608-G4-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 2A 0603. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vrrm 375pF 500mV at 2.0A
ცხელი ნაწილები
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置