BYG10MHM3_A/H ფასები (აშშ დოლარი) [591495ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.06253
- 12,600 pcs$0.05438
- Ნაწილი ნომერი:
- BYG10MHM3_A/H
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A,1000V AVAL AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10MHM3_A/H electronic components. BYG10MHM3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10MHM3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10MHM3_A/H პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BYG10MHM3_A/H
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.15V @ 1.5A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
4µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BYG22D-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
-
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,100V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
-
BYG24D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 1.5A. Rectifiers 1.5A,200V,140nS Fast Avalanche,SMD
-
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A. Rectifiers 1.5A,800V VGSC-STD Avalanche SMD
-
BYG23M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V,75nS Fast Avalanche,SMD
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置