თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. W947D2HBJX5E TR

Winbond Electronics - W947D2HBJX5E TR

KEY Part #: K942479

W947D2HBJX5E TR ფასები (აშშ დოლარი) [47612ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.02726
  • 2,500 pcs$1.02215
Ნაწილი ნომერი:
W947D2HBJX5E TR
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 200MHz T&R
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - პარიტეტის გენერატორები და ქვები, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - სპეციალური დანიშნულებ, ინტერფეისი - პირდაპირი ციფრული სინთეზი (DDS), ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, PMIC - ლაზერული დრაივერი and PMIC - RMS to DC გადამყვანი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W947D2HBJX5E TR electronic components. W947D2HBJX5E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D2HBJX5E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX5E TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W947D2HBJX5E TR
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 128Mb (4M x 32)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-VFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • NDS63PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128F-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWPIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M SPI 20MHZ 8SOIC. SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

ცხელი ნაწილები