Alliance Memory, Inc. - AS6C8016-55TINTR

KEY Part #: K938207

AS6C8016-55TINTR ფასები (აშშ დოლარი) [19560ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.34260

Ნაწილი ნომერი:
AS6C8016-55TINTR
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I. SRAM 8M L-Power, 2.7-3.6V 512k x 16, 48pin
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ხაზოვანი - შემსრულებლები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ, PMIC - RMS to DC გადამყვანი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ and PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS6C8016-55TINTR electronic components. AS6C8016-55TINTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS6C8016-55TINTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS6C8016-55TINTR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS6C8016-55TINTR
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Asynchronous
მეხსიერების ზომა : 8Mb (512K x 16)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 55ns
წვდომის დრო : 55ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 5.5V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 48-TSOP I

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W979H6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C