Renesas Electronics America - NP33N06YDG-E1-AY

KEY Part #: K6412738

[13342ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    NP33N06YDG-E1-AY
    მწარმოებელი:
    Renesas Electronics America
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ and Thististors - DIACs, SIDACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Renesas Electronics America NP33N06YDG-E1-AY electronic components. NP33N06YDG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP33N06YDG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP33N06YDG-E1-AY პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : NP33N06YDG-E1-AY
    მწარმოებელი : Renesas Electronics America
    აღწერა : MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 16.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 78nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3900pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta), 97W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-HSON
    პაკეტი / საქმე : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • BS108ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.

    • AUIRLS3114Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

    • IRFR825PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • IRLR3714ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

    • IRLR4343

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

    • IRLR4343TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.