Ნაწილი ნომერი :
IRF8313PBF
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Discontinued at Digi-Key
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
90nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
760pF @ 15V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SO