Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU6D-E3/51

KEY Part #: K6540564

GBU6D-E3/51 ფასები (აშშ დოლარი) [47714ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.81948
  • 1,000 pcs$0.33720

Ნაწილი ნომერი:
GBU6D-E3/51
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.8A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 6.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU6D-E3/51 electronic components. GBU6D-E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU6D-E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU6D-E3/51 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBU6D-E3/51
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.8A GBU
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3.8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 3A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBU

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • GBPC3504W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 400 Volt

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS6KL60 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif

  • D2SB60 D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL. Bridge Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt 80 Amp IFSM