Diodes Incorporated - DMTH43M8LPS-13

KEY Part #: K6396422

DMTH43M8LPS-13 ფასები (აშშ დოლარი) [198770ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18608

Ნაწილი ნომერი:
DMTH43M8LPS-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI506.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH43M8LPS-13 electronic components. DMTH43M8LPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH43M8LPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH43M8LPS-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMTH43M8LPS-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET BVDSS 31V-40V POWERDI506
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 22A (Ta), 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 38.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2693pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.7W (Ta), 83W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI5060-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ