Vishay Siliconix - SI5948DU-T1-GE3

KEY Part #: K6525420

SI5948DU-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [321720ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11497
  • 3,000 pcs$0.10819

Ნაწილი ნომერი:
SI5948DU-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI5948DU-T1-GE3 electronic components. SI5948DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5948DU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5948DU-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI5948DU-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.6nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 165pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 7W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® ChipFET™ Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® ChipFet Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ