Diodes Incorporated - MBR5200VPB-E1

KEY Part #: K6446080

MBR5200VPB-E1 ფასები (აშშ დოლარი) [7288ცალი საფონდო]

  • 500 pcs$0.09021

Ნაწილი ნომერი:
MBR5200VPB-E1
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated MBR5200VPB-E1 electronic components. MBR5200VPB-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR5200VPB-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR5200VPB-E1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MBR5200VPB-E1
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 200V 5A DO27
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 950mV @ 5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 500µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-201AA, DO-27, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-27
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1N4448-A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35.

  • MB30H45C-61HE3J/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO263AB.

  • UH1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC.

  • UH1DHE3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC.

  • UH1C-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC.

  • UH1CHE3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC.