1N5622C.TR ფასები (აშშ დოლარი) [28168ცალი საფონდო]
- 1 pcs$1.46312
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N5622C.TR
- მწარმოებელი:
- Semtech Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Semtech Corporation 1N5622C.TR electronic components. 1N5622C.TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5622C.TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5622C.TR პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N5622C.TR
მწარმოებელი :
Semtech Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
500nA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
23pF @ 5V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Axial
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SB250-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 2A 50V DO-41. Schottky Diodes & Rectifiers 2A, 50V, AXIAL, SCHOTTKY RECT
-
V12P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 60V, SMPC AEC-Q101 Qualified
-
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers 4A, 200V, SMPC STD, SM Rect
-
AU2PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,600V, SMPC FER, Avalanche SM
-
AR4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 2A TO277A. Rectifiers 4A,400V,Fast RecoveryAvalanche SM
-
AS4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A 200V
ცხელი ნაწილები
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置