WeEn Semiconductors - BYR29X-800,127

KEY Part #: K6445560

BYR29X-800,127 ფასები (აშშ დოლარი) [7305ცალი საფონდო]

  • 5,000 pcs$0.18826

Ნაწილი ნომერი:
BYR29X-800,127
მწარმოებელი:
WeEn Semiconductors
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultrafast Recovery Diodes 800V 8A
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in WeEn Semiconductors BYR29X-800,127 electronic components. BYR29X-800,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYR29X-800,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYR29X-800,127 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYR29X-800,127
მწარმოებელი : WeEn Semiconductors
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.7V @ 8A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220FP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode