Vishay Siliconix - SIHB33N60EF-GE3

KEY Part #: K6399482

SIHB33N60EF-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [12620ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.15100
  • 10 pcs$2.83590
  • 100 pcs$2.33174
  • 500 pcs$1.95362
  • 1,000 pcs$1.70154

Ნაწილი ნომერი:
SIHB33N60EF-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB33N60EF-GE3 electronic components. SIHB33N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB33N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB33N60EF-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIHB33N60EF-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3454pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 278W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D²PAK (TO-263)
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.