Toshiba Semiconductor and Storage - TPH2R306NH,L1Q

KEY Part #: K6418694

TPH2R306NH,L1Q ფასები (აშშ დოლარი) [73406ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.54679
  • 5,000 pcs$0.54407

Ნაწილი ნომერი:
TPH2R306NH,L1Q
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH,L1Q electronic components. TPH2R306NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH2R306NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH2R306NH,L1Q პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TPH2R306NH,L1Q
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
სერიები : U-MOSVIII-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6100pF @ 30V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.6W (Ta), 78W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP Advance (5x5)
პაკეტი / საქმე : 8-PowerVDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.