Infineon Technologies - IPB60R099CPATMA1

KEY Part #: K6416960

IPB60R099CPATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [21324ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.93276

Ნაწილი ნომერი:
IPB60R099CPATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R099CPATMA1 electronic components. IPB60R099CPATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R099CPATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R099CPATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB60R099CPATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
სერიები : CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2800pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 255W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-3-2
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.