აღწერა :
IC MOSFET DVR RF 30A HI DCB
ორიენტირებული კონფიგურაცია :
Low-Side
კარიბჭის ტიპი :
N-Channel, P-Channel MOSFET
ძაბვა - მიწოდება :
8V ~ 18V
ლოგიკის ძაბვა - VIL, VIH :
0.8V, 3.5V
აქტუალური - პიკის გამომავალი (წყარო, ჩაძირვა) :
30A, 30A
შეყვანის ტიპი :
Non-Inverting
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (Bootstrap) :
-
აწევა / შემოდგომის დრო (ტიპი) :
4ns, 4ns
ოპერაციული ტემპერატურა :
-40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
-