Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM12-150HE3/96

KEY Part #: K6446730

[1667ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BYM12-150HE3/96
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM12-150HE3/96 electronic components. BYM12-150HE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM12-150HE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYM12-150HE3/96 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BYM12-150HE3/96
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
    სერიები : SUPERECTIFIER®
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 1A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 150V
    Capacitance @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : DO-213AB, MELF (Glass)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AB
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • MBR1650HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.

    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • BYM07-400HE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • SBLB1040-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO263AB.

    • NSB8DTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.

    • MBRB745HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB.