Ნაწილი ნომერი :
IPA60R190E6XKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
20.2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 630µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
63nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1400pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
34W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO220-FP
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack