SDT8A120P5Q-7D ფასები (აშშ დოლარი) [238574ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.15504
- Ნაწილი ნომერი:
- SDT8A120P5Q-7D
- მწარმოებელი:
- Diodes Incorporated
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI5.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Diodes Incorporated SDT8A120P5Q-7D electronic components. SDT8A120P5Q-7D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SDT8A120P5Q-7D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SDT8A120P5Q-7D პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
SDT8A120P5Q-7D
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 120V 8A POWERDI5
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
120V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
840mV @ 8A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
300µA @ 120V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
PowerDI™ 5
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PowerDI™ 5
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
SL03-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V DO219-M. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE SMF DO219-e3-M
-
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置