Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10YHE3_A/I

KEY Part #: K6453189

BYG10YHE3_A/I ფასები (აშშ დოლარი) [592206ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06246

Ნაწილი ნომერი:
BYG10YHE3_A/I
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
1.5A1600VSTDAVALANCHESMD. Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA)
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, Thististors - SCRs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10YHE3_A/I electronic components. BYG10YHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10YHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG10YHE3_A/I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYG10YHE3_A/I
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : 1.5A1600VSTDAVALANCHESMD
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.5A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.15V @ 1.5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 1600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SMA (DO-214AC)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die

  • VS-50WQ06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • RGL34J-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34A-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA.

  • VS-ETL1506S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns

  • SGL41-60-E3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 60 Volt