Microsemi Corporation - APTSM120TAM33CTPAG

KEY Part #: K6522071

APTSM120TAM33CTPAG ფასები (აშშ დოლარი) [153ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$304.48906
  • 100 pcs$302.97419

Ნაწილი ნომერი:
APTSM120TAM33CTPAG
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
POWER MODULE - SIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTSM120TAM33CTPAG electronic components. APTSM120TAM33CTPAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTSM120TAM33CTPAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTSM120TAM33CTPAG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTSM120TAM33CTPAG
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : POWER MODULE - SIC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET თვისება : Silicon Carbide (SiC)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V (1.2kV)
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 3mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 408nC @ 20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7680pF @ 1000V
ძალა - მაქსიმუმი : 714W
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP6
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP6

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ