Powerex Inc. - PP150B120

KEY Part #: K6532418

[1172ცალი საფონდო]

Ნაწილი ნომერი:: PP150B120

მწარმოებელი:: Powerex Inc.

Დეტალური აღწერა:: IGBT ASSY H-BRIDGE 1200V 150A.

Manufacturer's standard lead time:: Საწყობში

შენახვის ვადა:: Ერთი წელი

ჩიპი From:: ჰონგ კონგი

RoHS:

Გადახდის საშუალება:

გადაზიდვის გზა:

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Powerex Inc. PP150B120 electronic components. PP150B120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PP150B120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

PP150B120 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PP150B120

მწარმოებელი : Powerex Inc.

აღწერა : IGBT ASSY H-BRIDGE 1200V 150A

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

ტიპი : IGBT

კონფიგურაცია : H-Bridge Inverter

მიმდინარე : 150A

Ვოლტაჟი : 1.2kV

ძაბვა - იზოლაცია : 2500VDC

პაკეტი / საქმე : Power Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

FPDB20PH60

ON Semiconductor

IC SMART POWER MOD 20A SPM27-GA.
GA100SICP12-227

GeneSiC Semiconductor

SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.
VS-ENQ030L120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology
A2C35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
A1P35S12M3

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.
PS11033

Powerex Inc.

MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 8A.

ცხელი ნაწილები

English საქართველო