თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დენის მართვის მოდული
  5. GHIS100A120T2C1

Global Power Technologies Group - GHIS100A120T2C1

KEY Part #: K6532393

GHIS100A120T2C1 ფასები (აშშ დოლარი) [1181ცალი საფონდო]

  • 3 pcs$205.90875
Ნაწილი ნომერი:
GHIS100A120T2C1
მწარმოებელი:
Global Power Technologies Group
Დეტალური აღწერა:
SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - TRIACs and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS100A120T2C1 electronic components. GHIS100A120T2C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS100A120T2C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS100A120T2C1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GHIS100A120T2C1
მწარმოებელი : Global Power Technologies Group
აღწერა : SI IGBT SIC SBD HYBRID MODULES
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
ტიპი : IGBT
კონფიგურაცია : 3 Phase
მიმდინარე : 195A
Ვოლტაჟი : 1.2kV
ძაბვა - იზოლაცია : 2500Vrms
პაკეტი / საქმე : Power Module

Უახლესი ცნობები

Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FPDB20PH60

    ON Semiconductor

    IC SMART POWER MOD 20A SPM27-GA.

  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.

  • PS11033

    Powerex Inc.

    MOD IPM 3PHASE IGBT 600V 8A.

  • PM300DSA120

    Powerex Inc.

    MOD IPM DUAL 1200V 300A.

  • CM200DX-24S

    Powerex Inc.

    IGBT MOD DUAL 1200V 200A NX SER.

ცხელი ნაწილები