Ნაწილი ნომერი :
NDBA100N10BT4H
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
35nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2950pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
110W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D²PAK (TO-263)
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB