IXYS - IXFN180N10

KEY Part #: K6399973

IXFN180N10 ფასები (აშშ დოლარი) [3444ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$13.20405
  • 10 pcs$12.21259
  • 25 pcs$11.22224
  • 100 pcs$10.43009
  • 250 pcs$9.57193
  • 500 pcs$9.10984

Ნაწილი ნომერი:
IXFN180N10
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN180N10 electronic components. IXFN180N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN180N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN180N10 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN180N10
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9100pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 600W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • LP0701N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.