Ნაწილი ნომერი :
IPB80N06S209ATMA2
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
55V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 125µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
80nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2360pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
190W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO263-3-2
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB