ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43TR16128CL-15HBL

KEY Part #: K936904

IS43TR16128CL-15HBL ფასები (აშშ დოლარი) [15360ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.56938
  • 190 pcs$3.55162

Ნაწილი ნომერი:
IS43TR16128CL-15HBL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA. DRAM 2G 128Mx16 1333MT/s DDR3L 1.35V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - საათის ბუფერები, მძღოლები, სპეციალიზებული აივ, PMIC - LED მძღოლები, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , PMIC - ლაზერული დრაივერი, ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები and PMIC - დრაივერების ჩვენება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-15HBL electronic components. IS43TR16128CL-15HBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43TR16128CL-15HBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43TR16128CL-15HBL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43TR16128CL-15HBL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3L
მეხსიერების ზომა : 2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე : 667MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.283V ~ 1.45V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 96-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 96-TWBGA (9x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16