Infineon Technologies - IRF8010PBF

KEY Part #: K6398696

IRF8010PBF ფასები (აშშ დოლარი) [40660ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.92400
  • 10 pcs$0.83286
  • 100 pcs$0.66929
  • 500 pcs$0.52058
  • 1,000 pcs$0.43133

Ნაწილი ნომერი:
IRF8010PBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF8010PBF electronic components. IRF8010PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8010PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8010PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF8010PBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3830pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 260W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.

  • TP2635N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3.

  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • IRFI520GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP.