მწარმოებელი :
GeneSiC Semiconductor
აღწერა :
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A BR-8
დიოდის ტიპი :
Single Phase
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-65°C ~ 125°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
4-Square, BR-8
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
BR-8