Ნაწილი ნომერი :
PMT29EN,115
მწარმოებელი :
NXP USA Inc.
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
11nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
492pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
820mW (Ta), 8.33W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-223
პაკეტი / საქმე :
TO-261-4, TO-261AA