Infineon Technologies - IRFB41N15DPBF

KEY Part #: K6402288

IRFB41N15DPBF ფასები (აშშ დოლარი) [34636ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.02853
  • 10 pcs$0.92735
  • 100 pcs$0.74505
  • 500 pcs$0.57949
  • 1,000 pcs$0.48015

Ნაწილი ნომერი:
IRFB41N15DPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRFB41N15DPBF electronic components. IRFB41N15DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB41N15DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB41N15DPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFB41N15DPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 41A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2520pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 200W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ