Ნაწილი ნომერი :
RF4E110BNTR
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
24nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1200pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
HUML2020L8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerUDFN