Infineon Technologies - IRF7523D1TR

KEY Part #: K6413886

[12946ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRF7523D1TR
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7523D1TR electronic components. IRF7523D1TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7523D1TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7523D1TR პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRF7523D1TR
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
    სერიები : FETKY™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 1.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 210pF @ 25V
    FET თვისება : Schottky Diode (Isolated)
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.25W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Micro8™
    პაკეტი / საქმე : 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRFR3706

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 75A DPAK.

    • IRLR9343PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 20A DPAK.