Infineon Technologies - IRF5803TR

KEY Part #: K6413971

[12916ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRF5803TR
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF and Thististors - DIACs, SIDACs ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRF5803TR electronic components. IRF5803TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5803TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF5803TR პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRF5803TR
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : P-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 112 mOhm @ 3.4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 37nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1110pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Micro6™(TSOP-6)
    პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRFR220NTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

    • IRLR3714ZTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

    • IRLR7843TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 161A DPAK.