Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J332R,LF

KEY Part #: K6421633

SSM3J332R,LF ფასები (აშშ დოლარი) [1169017ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03498
  • 3,000 pcs$0.03480

Ნაწილი ნომერი:
SSM3J332R,LF
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J332R,LF electronic components. SSM3J332R,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J332R,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J332R,LF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SSM3J332R,LF
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
სერიები : U-MOSVI
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.2nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 560pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23F
პაკეტი / საქმე : SOT-23-3 Flat Leads

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ