Ნაწილი ნომერი :
FCH060N80-F155
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
56A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 5.8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
350nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
14685pF @ 100V
FET თვისება :
Super Junction
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
500W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247 Long Leads
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3