Ნაწილი ნომერი :
IXTT10P60
აღწერა :
MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
160nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4700pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-268
პაკეტი / საქმე :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA