Microsemi Corporation - APTC60DDAM35T3G

KEY Part #: K6522586

APTC60DDAM35T3G ფასები (აშშ დოლარი) [1730ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$25.02376
  • 100 pcs$24.36147

Ნაწილი ნომერი:
APTC60DDAM35T3G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTC60DDAM35T3G electronic components. APTC60DDAM35T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60DDAM35T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTC60DDAM35T3G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTC60DDAM35T3G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 72A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 5.4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 518nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 14000pF @ 25V
ძალა - მაქსიმუმი : 416W
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ