Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8EWS12SPBF

KEY Part #: K6442714

[3038ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    VS-8EWS12SPBF
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - TRIACs, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS12SPBF electronic components. VS-8EWS12SPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWS12SPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-8EWS12SPBF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : VS-8EWS12SPBF
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 8A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 1200V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252, (D-Pak)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • GP2D005A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

    • GDP03S060C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2.

    • LXA08B600

      Power Integrations

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 8A Low Qrr

    • VS-MBRD320PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK.

    • VS-8EWS12SPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

    • VS-8EWS16SPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.