V8PAM10-M3/I ფასები (აშშ დოლარი) [478125ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.07736
- Ნაწილი ნომერი:
- V8PAM10-M3/I
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC. Schottky Diodes & Rectifiers If 8A Vrrm 100V Ifsm 100A
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V8PAM10-M3/I electronic components. V8PAM10-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V8PAM10-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
V8PAM10-M3/I პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
V8PAM10-M3/I
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO221BC
სერიები :
eSMP®, TMBS®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
780mV @ 8A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
200µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F :
810pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-221BC (SMPA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
CDSV-19-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA 200mW
-
CDSV-21-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 200mA 200mW
-
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A, 45V, TMBS
-
VSSAF3N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 50V 2.7A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 3A, 50V,TRENCH SKY RECT.
-
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置