ON Semiconductor - 1N459A

KEY Part #: K6442193

1N459A ფასები (აშშ დოლარი) [467606ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08305
  • 10 pcs$0.07475
  • 100 pcs$0.04070
  • 500 pcs$0.02504
  • 1,000 pcs$0.01707

Ნაწილი ნომერი:
1N459A
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor 1N459A electronic components. 1N459A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N459A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N459A პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N459A
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 100mA
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 25nA @ 175V
Capacitance @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 175°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BAS21E6359HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GP 200V 250MA SOT23-3.

  • BAS16E6393HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GP 80V 250MA SOT23-3.

  • CMDD6001 BK

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • IDK12G65C5XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263-2.

  • IDK10G65C5XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2.

  • IDK09G65C5XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 650V 9A TO263-2.