ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43TR85120AL-125KBL-TR

KEY Part #: K936866

IS43TR85120AL-125KBL-TR ფასები (აშშ დოლარი) [15282ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.58752
  • 1,500 pcs$3.56967

Ნაწილი ნომერი:
IS43TR85120AL-125KBL-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA. DRAM 4G, 1.35V, 1600MT/s 512M x 8 DDR3L
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ, მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აუდიო, ხაზოვანი - შემსრულებლები, ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის and ინტერფეისი - პირდაპირი ციფრული სინთეზი (DDS) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-125KBL-TR electronic components. IS43TR85120AL-125KBL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43TR85120AL-125KBL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43TR85120AL-125KBL-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43TR85120AL-125KBL-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3L
მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.283V ~ 1.45V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 78-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 78-TWBGA (9x10.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16