IXYS - IXFH12N120

KEY Part #: K6408771

IXFH12N120 ფასები (აშშ დოლარი) [6564ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.94015
  • 30 pcs$6.90562

Ნაწილი ნომერი:
IXFH12N120
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH12N120 electronic components. IXFH12N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH12N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N120 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH12N120
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3400pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 500W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AD (IXFH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ