Vishay Semiconductor Diodes Division - KBU8J-E4/51

KEY Part #: K6540570

KBU8J-E4/51 ფასები (აშშ დოლარი) [21697ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.67025
  • 10 pcs$1.50058
  • 25 pcs$1.41853
  • 100 pcs$1.22933
  • 250 pcs$1.10648
  • 500 pcs$0.99284
  • 1,000 pcs$0.83733
  • 2,500 pcs$0.79546
  • 5,000 pcs$0.76556

Ნაწილი ნომერი:
KBU8J-E4/51
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU. Bridge Rectifiers 8.0 Amp 600 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division KBU8J-E4/51 electronic components. KBU8J-E4/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KBU8J-E4/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

KBU8J-E4/51 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : KBU8J-E4/51
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 8A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა : -50°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-ESIP, KBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBU

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • GBPC3504W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 400 Volt

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS6KL60 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif

  • D2SB60 D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL. Bridge Rectifiers 1.5 Amp 600 Volt 80 Amp IFSM