Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB75TP120N

KEY Part #: K6533279

VS-GB75TP120N ფასები (აშშ დოლარი) [404ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$114.70922
  • 24 pcs$109.24686

Ნაწილი ნომერი:
VS-GB75TP120N
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB75TP120N electronic components. VS-GB75TP120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB75TP120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB75TP120N პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-GB75TP120N
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : IGBT 1200V 150A 543W INT-A-PAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : Half Bridge
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 150A
ძალა - მაქსიმუმი : 543W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 75A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 5.52nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : INT-A-PAK (3 + 4)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : INT-A-PAK

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.

  • APTCV60HM45RCT3G

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.