Vishay Semiconductor Diodes Division - S1AHE3_A/I

KEY Part #: K6434119

S1AHE3_A/I ფასები (აშშ დოლარი) [1546318ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02524
  • 15,000 pcs$0.02511

Ნაწილი ნომერი:
S1AHE3_A/I
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Rectifiers 1A 50V 40A@8.3ms Single Die Auto
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1AHE3_A/I electronic components. S1AHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1AHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1AHE3_A/I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S1AHE3_A/I
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 1.8µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MMBD1501-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 180V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600mA 180V

  • MMBD4448-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • BAS21WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V

  • MMBD4448WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V

  • VS-HFA04SD60SHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt

  • VS-HFA08SD60SL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3