STMicroelectronics - STY30NK90Z

KEY Part #: K6412307

[13491ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    STY30NK90Z
    მწარმოებელი:
    STMicroelectronics
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 900V 26A MAX247.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in STMicroelectronics STY30NK90Z electronic components. STY30NK90Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STY30NK90Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STY30NK90Z პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : STY30NK90Z
    მწარმოებელი : STMicroelectronics
    აღწერა : MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
    სერიები : SuperMESH™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 150µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 490nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 12000pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 450W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : MAX247™
    პაკეტი / საქმე : TO-247-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRLR7811WPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 64A DPAK.

    • FDD24AN06LA0_SB82179

      ON Semiconductor

      INTEGRATED CIRCUIT.

    • IRLR3105PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 25A DPAK.

    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.