Ნაწილი ნომერი :
SPI11N60C3HKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 500µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
60nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1200pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
125W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO262-3-1
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA