GeneSiC Semiconductor - GA50JT17-247

KEY Part #: K6412450

GA50JT17-247 ფასები (აშშ დოლარი) [13441ცალი საფონდო]

  • 90 pcs$98.85087

Ნაწილი ნომერი:
GA50JT17-247
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
TRANS SJT 1.7KV 100A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 electronic components. GA50JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA50JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA50JT17-247 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GA50JT17-247
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : TRANS SJT 1.7KV 100A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : -
ტექნოლოგია : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1700V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 50A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
Vgs (მაქს) : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 583W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247
პაკეტი / საქმე : TO-247-3
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRLR3705Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFR2307Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR2607Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

  • IRFR1010Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • GP2M002A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

  • IRFR4104TRR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.