Microsemi Corporation - APTGT200H60G

KEY Part #: K6533127

APTGT200H60G ფასები (აშშ დოლარი) [898ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$51.67355
  • 100 pcs$50.10230

Ნაწილი ნომერი:
APTGT200H60G
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200H60G electronic components. APTGT200H60G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200H60G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200H60G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : APTGT200H60G
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : Trench Field Stop
კონფიგურაცია : Full Bridge Inverter
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 290A
ძალა - მაქსიმუმი : 625W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 12.3nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : No
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : SP6
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP6

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT40GL120JU3

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APTGT75TA120PG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6.